中 이어 美 인텔까지 가세…韓반도체 인재 유출 경고음

2018년 11월 11일 (일) 오전 12:08

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中 이어 美 인텔까지 가세…韓반도체 인재 유출 경고음

메모리반도체 세계 1, 2위를 공고히 지키고 있는 삼성전자와 SK하이닉스의 핵심 엔지니어에 인텔의 스카우트 제의가 물밀듯 들어오고 있다. ‘반도체 굴기’로 한국 반도체 인재를 공격적으로 영입하고 있는 중국에, 반도체 전통 강호인 인텔까지 가세하면서 우리 반도체기업들의 불안감도 고조되고 있다.

11일 업계에 따르면, 중국 다롄에 위치한 12인치 팹(Fab)을 낸드플래시 공장으로 전환한 인텔은 다롄에 3D낸드플래시를 위한 전문 팀을 꾸리고, 삼성전자와 SK하이닉스 등의 3D낸드플래시 관련 인력 영입을 본격화했다. 전문 브로커 기업을 활용, 러브콜을 보내고 있다. PIE(Process Integration) 등 공정 분야 책임·수석급 엔지니어 등이 주영입 대상이다.

그간 국내 기업 엔지니어들이 연봉 2~3배와 두둑한 체재비 등 파격 조건을 내건 중국 반도체기업으로 가길 망설인 이유는 ‘단물만 빼먹고 버린다’는 흉흉한 소문 때문이었다. 아직 기술수준이 낮은 중국 반도체기업에 대한 비전이 불투명한데다, 기술을 이전받고 나서는 ‘팽’해버리는 것 아니냐는 불안감이 내심 작용했다. 그러나 미국 인텔이라면 얘기가 달라진다는 것이 반도체업계의 얘기다.

중국 공장에서 일하는 조건이지만, 인텔로의 이직은 반도체인들의 오랜 ‘꿈’이었기 때문이다. PC시장의 정체로 CPU(중앙처리장치) 사업 부진을 겪은 인텔이 ‘뉴메모리’와 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)로도 눈을 돌리면서, 메모리반도체와 AP를 모두 만드는 삼성전자의 경우 인재 유출이 더욱 심해질 수 있다.

이직 행렬을 막을 수 있는 뾰족한 방법도 없다. 반도체업계 관계자는 “대학교 연구실이나 계열사 입사 등을 통해 ‘2년 전직 금지 약정’을 피해가는 건 매우 쉬울 뿐 더러, 삼성전자 역시 과거 일본과 미국, 대만에서 핵심 인력들을 영입한 사례가 매우 많았기 때문에 이같은 반도체업계의 생리를 원망할 입장도 아니다”라고 설명했다.

반도체업계의 최대 격전지로 떠오른 낸드플래시 시장은 삼성전자가 1위, 일본 도시바 2위, 미국 웨스턴디지털 3위, SK하이닉스 4위, 마이크론 5위, 인텔 6위 순이다. 20여년만에 메모리반도체 시장에 재진입한 인텔은 미국 동맹을 맺어 마이크론과 협업했지만, 동맹을 해제하고 독자 기술을 구축하고 있다. 이처럼 낸드플래시 시장은 3D낸드플래시 기술을 두고 한국과 미국간의 경쟁이 치열하다. 여기에 추격에 나선 중국 업체들까지 가세한다면 낸드플래시 시장은 혼전 양상을 보일 가능성이 높다. 중국 국영기업인 칭화유니그룹 산하 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)가 내년부터 64단 3D 낸드 양산에 들어갈 계획이라고 발표한 뒤 우리 업계가 크게 술렁인 것도 당초 예상보다 기술 추격이 빨랐기 때문이다.

중국 기업들은 D램에 비해 기술 진입장벽이 낮은 낸드플래시를 우선 공략하고 있다. 특히 ‘반도체 굴기(?起)’ 정책으로 자국산 반도체 탑재를 장려하는 중국 정부의 지침에 따라 중국 스마트폰 제조사 등 IT계 ‘큰 손’들이 중국산 낸드플래시를 구매한다면 시장점유율은 요동칠 수밖에 없다.

일단 우리 기업들은 추격을 따돌리기 위해 100단 이상 낸드플래시 등 차세대 첨단제품 개발에 집중하고 있다. SK하이닉스는 지난달 말 기존 3D 낸드플래시 메모리 반도체 제품에서 한 단계 진화한 96단 4D 낸드플래시를 개발하는 데 성공했다. 삼성전자는 120단 낸드플래시인 6세대 V낸드 양산을 준비 중이다. 초고속·최단 응답·저전압 설계기술이 적용된 업계 최초 5세대 V낸드플래시 개발로 초격차 기술 리더십을 확보한 데 이어, 6세대 V낸드 양산계획까지 내놓은 것이다.

반도체업계 관계자는 “낸드플래시 가격이 떨어지기 시작한 상황에서, 중국과 미국의 추격은 큰 부담”이라며 “초격차 전략으로 경쟁사들을 따돌리고는 있지만, 핵심 공정을 그대로 전수할 능력이 있는 인재들이 계속 빠져나간다면 미래 경쟁력을 담보할 수 있다고 확신할 수 없는 상황”이라고 우려했다.

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출처 : news.donga.com

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